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电力度电d)ZnO/ZnTe核壳纳米棒的STEM图。市场市计h)ZnO/ZnTe器件结构能带结构。

月度d,e) ZnO/ZnTe器件在325nm激光照射下的I-t测试曲线。图四 ZnO肖特基、交易计划欧姆接触 和ZnTe欧姆接触探测器电学表征a,d)ZnO肖特基接触器件在325nm激光照射下的I-V和I-t测试曲线。研究成果获教育部自然科学二等奖（第一完成人），开市在AdvancedMaterials，开市ACSNano，LaserPhotonicsReviews等国际权威学术刊物上发表SCI论文250余篇，已被引用7000余篇次，授权发明专利20余项。

该团队在气相传输法制备的ZnO纳米结构的基础上，办法采用经典的磁控溅射法构建了均匀包覆的ZnO/ZnTe核壳纳米棒阵列，办法形成了n-ZnO/p-ZnTe异质结光电探测器件。在325nm激光(2.13mW/cm2)照射下，力市最大响应度和探测率分别达到196.24mA/W和3.47×1012 cmHz1/2/W，力市比仅有光伏响应的器件提高了10倍，且上升时间和下降时间从1.222ms和1.563ms分别下降到62μs降到109μs。

本工作系统研究了光照波长、场开外加偏压和光功率密度对器件的光伏-热释电耦合效应的影响，场开为实现高性能的宽谱光电探测器提供了一个简单而有效的方案。

据此可用由不同波段光照，甘肃管理诱导ZnO的热释电电势，甘肃管理调控光电转换和载流子输运过程，并结合ZnO与其它半导体的异质结构的合理设计，通过热释电-光伏耦合效应，实现宽光谱范围的快速光探测。根据Tc是高于还是低于10K，电力度电将材料分为两类，构建非参数随机森林分类模型预测超导体的类别。

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